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Memoria interna
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4 GB
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Tipo de memoria interna
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DDR3L
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Velocidad de memoria del reloj
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1600 MHz
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Componente para
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Notebook
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Forma de factor de memoria
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204-pin SO-DIMM
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Diseño de memoria (módulos x tamaño)
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1 x 4 GB
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Tipo de memoria con búfer
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Unregistered (unbuffered)
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ECC
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N
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Latencia CAS
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11
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Ancho de datos
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64 bit
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Voltaje de memoria
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1.35,1.5 V
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Configuración de módulos
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512M X 64
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Tiempo de ciclo de fila
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48.125 ns
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Tiempo de actualización de ciclo de fila
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260 ns
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Tiempo activo en fila
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35 ns
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Placa de plomo
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Gold
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Intervalo de temperatura operativa
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0 - 85 °C
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Intervalo de temperatura de almacenaje
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-55 - 100 °C
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Ancho
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67.6 mm
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Altura
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30 mm
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Organización de los chips
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X8
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Velocidad del reloj de bus
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1600 MHz
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Indicación de error
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N
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Disposición de memoria
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1 x 4096 MB
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Memoria interna
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4096 MB
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